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150N04 TO-252封裝參數(shù)：點擊查看
150N04場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
封裝類型：TO-252
極性：N溝道
極性：N溝道
漏極電流：150A
功率耗散：115W
柵極源極擊穿電壓：±20V
擊穿電壓：40V
存儲溫度：-55℃~+150℃
引腳數(shù)：3Pin
導(dǎo)通電阻ID=20A,VGS=10V：Typ 2.4mΩ Max 3.1mΩ
導(dǎo)通電阻ID=20A,VGS=4.5V：Typ 3.5mΩ Max 4.7mΩ
導(dǎo)通電阻ID=20A,VGS=4.5V：Typ 3.5mΩ Max 4.7mΩ
工作溫度：-55℃~+150℃
安裝類型：SMT
二、作用與應(yīng)用
150N04場效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中，它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動，實現(xiàn)對負載的精確控制。由于其出色的電氣性能，150N04廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
電源管理：150N04可用于開關(guān)電源的開關(guān)控制部分，提高電源轉(zhuǎn)換效率。
信號放大：在信號放大電路中，150N04通過其高性能和可調(diào)控的電流特性，實現(xiàn)對信號的精準放大。
電機驅(qū)動：適用于低電壓、低電流的小型伺服電機控制或功率MOSFET門驅(qū)動器。
邏輯電路：150N04可用于實現(xiàn)數(shù)字邏輯功能，如與、或、非等邏輯門。
負載驅(qū)動：150N04可用于驅(qū)動小功率負載，如繼電器、LED等。
150N04場效應(yīng)管 TO-252封裝尺寸：
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