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平面MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別
2023-04-20
平面MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別功率晶體管近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。下圖表示處理各功率晶體
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平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)區(qū)別
2023-04-20
平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)區(qū)別基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更
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功率器件結(jié)溫與殼頂溫度差異解析
2023-04-19
功率器件結(jié)溫與殼頂溫度差異解析開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器通常會(huì)使用功率器件，在設(shè)計(jì)過(guò)程中要測(cè)量功率MOSFET或IGBT結(jié)溫，
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PCB設(shè)計(jì),提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能介紹
2023-04-19
PCB設(shè)計(jì),提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能介紹與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電阻的顯著降低和寄生電容
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怎么確定MOSFET所需最小散熱器尺寸
2023-04-19
怎么確定MOSFET所需最小散熱器尺寸假定設(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差，那
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關(guān)于MOSFET和散熱器的圖文解析
2023-04-18
關(guān)于MOSFET和散熱器的圖文解析功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件，散熱器對(duì)于提供散熱非常重要。從名稱本身來(lái)看，它將吸收功率器
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計(jì)算元器件的結(jié)溫及熱阻值的解析
2023-04-18
計(jì)算元器件的結(jié)溫及熱阻值的解析θJA是熱阻的單位，用來(lái)表示空氣到結(jié)溫的阻值，單位是℃ W或Ｋ W。做電路設(shè)計(jì)都需要用到以下的公式來(lái)
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MOS管熱阻,輸入輸出電容,開(kāi)關(guān)時(shí)間解析
2023-04-18
MOS管熱阻,輸入輸出電容,開(kāi)關(guān)時(shí)間解析打開(kāi)一個(gè)MOS管的SPEC，會(huì)有很多電氣參數(shù)，本文分析一下熱阻、電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間。熱阻，英文Thermal res
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PMOS設(shè)計(jì)反向電壓保護(hù)電路,原理介紹
2023-04-15
PMOS設(shè)計(jì)反向電壓保護(hù)電路,原理介紹直流系統(tǒng)中，比如汽車電子設(shè)計(jì)中，當(dāng)電池接反時(shí)，使用電池作為電源的電路可能會(huì)損壞，所以一般需要反向
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通過(guò)雙脈沖測(cè)試確認(rèn)MOSFET損耗解析
2023-04-15
通過(guò)雙脈沖測(cè)試確認(rèn)MOSFET損耗解析MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性與橋式電路損耗的關(guān)系在逆變器電路和Totem Pole型功率因數(shù)改善（PFC）電路
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LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹
2023-04-15
LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹LED照明電路（臨界模式PFC＋DC DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實(shí)際LED照
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開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試在電源調(diào)試中的重要作用介紹
2023-04-14
開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試在電源調(diào)試中的重要作用介紹MOSFET IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。開(kāi)關(guān)電源(SMPS)技術(shù)依托電源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)設(shè)