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淺談碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)和硅IGBT的區(qū)別-應(yīng)用與分類(lèi)
2020-08-26
淺談碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)和硅IGBT的區(qū)別-應(yīng)用與分類(lèi)碳化硅mosfet本文主要講硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別。我們先來(lái)看看碳化硅mosfet概述：
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電路分析方法-電子工程師需知
2020-08-26
電路分析方法-電子工程師需知電路圖是人們?yōu)榱搜芯亢凸こ痰男枰眉s定的符號(hào)繪制的一種表示電路結(jié)構(gòu)的圖形。通過(guò)電路圖可以知道實(shí)際電路
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n溝道與p溝道圖片(結(jié)構(gòu)、工作原理)兩種最基本的MOS管
2020-08-26
n溝道與p溝道圖片(結(jié)構(gòu)、工作原理)兩種最基本的MOS管n溝道和p溝道圖片（結(jié)構(gòu)、工作原理）兩種最基本的MOS管n溝道和p溝道圖片詳解，mos管是
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IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)中的必知問(wèn)題詳解
2020-08-26
IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)中的必知問(wèn)題詳解IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵
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基于雙變換不間斷電源的全橋IGBT詳情
2020-08-26
基于雙變換不間斷電源的全橋IGBT詳情科技的飛速發(fā)展為人們的生活帶來(lái)了便利，各種各樣的電源開(kāi)始充斥著人們的生活。其中不間斷電源被大量使
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IGBT模塊的檢測(cè)方法知識(shí)
2020-08-26
IGBT模塊的檢測(cè)方法知識(shí) 以?xún)蓡卧獮槔?用模擬萬(wàn)用表測(cè)量靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮
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MOSFET選擇策略知識(shí)
2020-08-25
MOSFET選擇策略知識(shí)在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是僅有的功率開(kāi)關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器
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變頻器對(duì)電機(jī)的十種保護(hù)措施介紹
2020-08-25
變頻器對(duì)電機(jī)的十種保護(hù)措施介紹我們都知道，變頻器靠?jī)?nèi)部IGBT的開(kāi)斷來(lái)調(diào)整輸出電源的電壓和頻率，根據(jù)電機(jī)的實(shí)際需要來(lái)提供其所需要的電源
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超高壓SiC和超共源共柵
2020-08-25
超高壓SiC和超共源共柵新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開(kāi)關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要
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IGBT直流穩(wěn)壓大功率電源設(shè)計(jì)之電路設(shè)計(jì)方案介紹
2020-08-25
IGBT直流穩(wěn)壓大功率電源設(shè)計(jì)之電路設(shè)計(jì)方案介紹直流大功率電源是目前工業(yè)、照明等領(lǐng)域中不可或缺的重要組成部分，也是很多工程師的重點(diǎn)設(shè)計(jì)
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STC系列單片機(jī)的PCA/PWM原理介紹
2020-08-25
STC系列單片機(jī)的PCA PWM原理介紹大致工作原理：PCA是一個(gè)具有捕獲功能的16定時(shí)器，高八位TH０，低八位TL０，CCON寄存器控制著定時(shí)器的計(jì)數(shù)
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用于保護(hù)VFD/IGBT逆變器的TVS二極管介紹
2020-08-25
用于保護(hù)VFD IGBT逆變器的TVS二極管介紹在幾乎所有的工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻器(VFD) 逆變器通常安裝在電機(jī)的前端，以便調(diào)節(jié)速度和節(jié)約能源。