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MOS管發熱的處理方法介紹
2024-07-20
MOS管發熱的處理方法介紹先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規格書上獲取MOS管的參數，包括導通電阻、g、s極的導通電壓等。在確保
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MOS管驅動電路,導通特性與開關管損失解析
2024-07-20
MOS管驅動電路,導通特性與開關管損失解析MOSFET管FET的一種（另一種是JEFT），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際
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解析MOS管功率損耗怎么測
2024-07-20
解析MOS管功率損耗怎么測做開關電源，常用功率MOSFET。一般而言，MOS管制造商采用RDS（ON）參數來定義導通阻抗;對ORing FET應用來說，RDS
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MOS管發熱問題的解決方法介紹
2024-07-20
MOS管發熱問題的解決方法介紹在進行開關電源測試中，除了用三用表測量控制電路其他器件的引腳電壓，比較重要的是用示波器測量相關的電壓波
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MOS管的開關條件解析
2024-07-20
MOS管的開關條件解析控制極電平為 ？ V 時MOS管導通（飽和導通）？控制極電平為 ？ V 時MOS管截止？不論N溝道還是P溝道MOS管，G
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MOS管與IGBT的區別詳解
2024-07-19
MOS管與IGBT的區別詳解在電子電路中，MOS管和IGBT管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似
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插件mos管怎么分方向介紹
2024-07-19
插件mos管怎么分方向介紹插件MOS管的方向可以通過查看其外形來判斷，一般來說，插件MOS管的源極和漏極分別位于其兩端，而控制電壓的輸入端
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mos管的原理和特點詳解
2024-07-19
mos管的原理和特點詳解MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。工作原理MOS管的工作狀態主要取決于柵源電壓Vgs。當Vgs
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MOS管的半導體結構詳細介紹
2024-07-19
MOS管的半導體結構詳細介紹一、 MOS管的半導體結構作為半導體器件，它的來源還是最原始的材料，摻雜半導體形成的 P 和 N 型物質。那么
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MOS管的快速開啟與關閉,MOS管驅動電路設計介紹
2024-07-19
MOS管的快速開啟與關閉,MOS管驅動電路設計介紹MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。 在多數情況下，
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影響mos管壽命的因素解析
2024-07-19
影響mos管壽命的因素解析MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為一種常見的電子元件，其壽命的長短對于電子產品的質量和可靠性都有著重
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MOS管,MOS管的參數解讀
2024-07-19
MOS管的參數解讀MOS管數據手冊上的相關參數有很多，下面一起來看一看，MOS管的數據手冊一般會包含哪些參數吧。極限參數也叫絕對最大額定參