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深圳市烜芯微科技有限公司
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分析cmos電路邏輯與主要參數(shù)-cmos外形結(jié)構(gòu)和工作速度知識
2019-09-04
分析cmos電路邏輯CMOS是單詞的首字母縮寫，集成電路是一塊微小的硅片，它包含有幾百萬個電子元件。術(shù)語IC隱含的含義是將多個單獨的集成電路
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功率MOS管失效損壞原因分析方法
2019-09-03
功率MOS管 失效分析經(jīng)常使用MOS管的人都會知道，MOS管其實就是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或
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MOS管并聯(lián)方法與工作原理和mos管并聯(lián)均流技術(shù)解析
2019-09-03
mos管并聯(lián)方法什么是并聯(lián)并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式
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MOS晶體管低功耗電路-MOS晶體管開通過程與影響因素
2019-09-03
什么是MOS晶體管mos晶體管，金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成
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ccd傳感器與cmos區(qū)別-ccd和cmos傳感技術(shù)原理作用與其區(qū)別比較
2019-09-03
ccd傳感器和cmos區(qū)別ccd傳感器簡介電荷耦合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導體材料制成，能把光線
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碳化硅肖特基二極管參數(shù)選型表-肖特基二極管原理與特點優(yōu)
2019-09-03
碳化硅肖特基二極管碳化硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導體硅接觸的二極管，由于它的這種特殊結(jié)構(gòu)，使其具有如下不同尋常的特性
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場效應(yīng)管發(fā)熱嚴重的原因分析-場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)特點與工作原理
2019-09-02
場效應(yīng)管發(fā)熱嚴重的原因場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)
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MOS管失效的6個原因-分析與失效應(yīng)對措施
2019-09-02
MOS管失效的六大原因MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
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mos經(jīng)典驅(qū)動電路詳情-mos結(jié)構(gòu)與種類導通特性分析
2019-09-02
mos經(jīng)典驅(qū)動電路一、MOS經(jīng)典驅(qū)動電路在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電
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晶體管與mos管的區(qū)別是什么-晶體管和mos管區(qū)別分析
2019-09-02
晶體管和mos管區(qū)別什么是MOS管mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)
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半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)端電路工作原理與結(jié)構(gòu)分析
2019-09-02
半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)端電路工作原理解析半橋電路結(jié)構(gòu)，半橋結(jié)構(gòu)如圖所示，它是兩個功率開關(guān)器件（如 MOS 管）以圖騰柱的形式相連接，
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三極管開關(guān)電路應(yīng)用和開關(guān)電路狀態(tài)的影響因素解析
2019-08-31
三極管三極管，全稱應(yīng)為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電